0.1mm微孔eMMC封装PCB 超薄0.26mm 电镀软金 规格参数 :
| 价格 | 联系我们 |
| 原产地 | 中国 |
| 最小起订量 | 10 |
| 付款方式 | OEM、ODM、OBM |
| 供货能力 | 1000 |
| 发货期限 | 3-7 |
0.1mm微孔eMMC封装PCB 超薄0.26mm 电镀软金 详细介绍 :
本产品为4层eMMC专用封装基板,典型叠构包含控制器芯片贴装区与NAND闪存颗粒互连区,通过激光微盲孔和电镀填孔实现层间信号导通。0.26mm超薄板厚,比常规封装基板更轻薄,可降低eMMC模组的整体高度,适配内部空间极为有限的移动设备。
产品亮点
- 4层优化叠构:内层设置独立电源层与地层,提供低阻抗PDN网络,有效抑制开关噪声,保证高速读写时的信号质量。
- 0.26mm超薄板身:比常规0.4mm以上基板减薄35%以上,助力eMMC模组厚度控制在1.0mm以内,适应超薄电子产品。
- 40/20μm高密度线宽线距:实现控制器与闪存颗粒之间的多通道并行布线,支持DDR模式下的高速数据传输。
- 0.1mm微盲孔:激光钻孔精度高,电镀填孔饱满,实现芯片焊盘到内层的短程互连,降低信号延迟。
- 电软金表面:纯金层柔软致密,表面粗糙度低,适合细间距芯片焊接,焊点空洞率低,满足消费级存储产品的可靠性标准。
典型应用
- eMMC 5.1/6.0嵌入式存储芯片封装基板
- 智能手机、平板电脑存储载板
- 智能电视、机顶盒eMMC模组
- 车载信息娱乐系统存储模块
- 工业嵌入式存储设备
为什么选择合通科技?
- 存储封装基板经验:合通科技长期为半导体存储行业供应eMMC、eMCP、UFS等封装PCB,熟悉NAND闪存控制器与闪存颗粒的布线规则及信号完整性要求。
- 微细线路能力:线宽40μm/线距20μm采用LDI曝光+真空蚀刻,公差±2μm,CPK≥1.0,100% AOI检测,保证高密度互连良率。
- 0.1mm微孔工艺:配备高精度UV激光钻机,孔位精度±15μm,孔壁光滑,脉冲电镀填孔凹陷≤5μm,通过热循环及金相切片验证。
- 电软金质量控制:全自动电镀软金线,金层厚度均匀(CPK≥1.33),纯度≥99.9%,提供键合强度及可焊性测试报告。
- 可靠性保障:产品通过MSL 3级、热循环(-40℃~125℃ 500次)、高温存储(125℃ 1000h)及高湿老化测试,满足消费电子及车规级应用。
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您正在开发eMMC存储封装或嵌入式存储模组,需要4层、0.26mm超薄、40/20μm线宽线距、0.1mm微孔、电软金的PCB?提交Gerber设计文件,合通科技将严格按照您的参数进行生产,并提供免费可制造性审核、信号完整性评估及可靠性测试方案,助力您的存储产品实现更高密度、更快的读写性能。
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